IPD053N06NATMA1,Power MOSFET, N Channel, 60 V, 45 A, 0.0045 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8675514768
- Артикул
- IPD053N06NATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Width
- 6.22mm
- Series
- OptiMOS 5
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1.43
Цена по запросу
(от 263 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Infineon предлагает большой и всесторонний ассортимент устройств на МОП-транзистораx, который включает семейства CoolMOS, OptiMOS и StrongIRFET.
Технические параметры
| Width | 6.22mm |
| Series | OptiMOS 5 |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1.43 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Корпус | TO-252 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 83 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 27 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Drain Source Resistance | 8 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 45 A |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 45 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0045 Ом |