IPD050N03LGATMA1, Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001293507
- Артикул
- IPD050N03LGATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Case
- PG-TO252-3
- Mounting
- SMD
- Technology
- OptiMOS™ 3
- Вес, г
- 2
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой IPD050N03LGATMA1 производства INFINEON - это высококачественный N-MOSFET компонент, предназначенный для монтажа типа SMD. Он обладает впечатляющим током стока в 50 А и надёжным напряжением сток-исток до 30 В. С мощностью в 68 Вт и низким сопротивлением в открытом состоянии всего 0,005 Ом, он идеально подойдёт для мощных и энергоэффективных схем. Корпус PG-TO252-3 обеспечивает удобство интеграции в разнообразные электронные устройства. Применение IPD050N03LGATMA1 гарантирует надёжность и долговечность ваших электронных проектов. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж SMD Ток стока, А 50 Напряжение сток-исток, В 30 Мощность, Вт 68 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.005 Корпус PG-TO252-3
Технические параметры
| Case | PG-TO252-3 |
| Mounting | SMD |
| Technology | OptiMOS™ 3 |
| Вес, г | 2 |
| Polarisation | unipolar |
| Drain current | 50A |
| Kind of channel | enhancement |
| Power dissipation | 68W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | N-Channel |
| Gate-source voltage | ±20V |
| On-state resistance | 5mΩ |
| Drain-source voltage | 30V |
| Особенности | - |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 50 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 68 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |