Моя заявка (0)

N-Channel MOSFET, 90 A, 60 V, 3-PIn DPAK InfIneon IPD048N06L3GATMA1

N-Channel MOSFET, 90 A, 60 V, 3-PIn DPAK InfIneon IPD048N06L3GATMA1

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8063849247
Артикул
IPD048N06L3GATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
Series:
XPD048N06
Fall Time:
12 ns
Rise Time:
5 ns
Цена по запросу
(от 160 ₽)
Минимальный заказ: 2500 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

3-канальные МОП-транзисторы OptiMOS™ Infineon Technologies 3-канальные МОП-транзисторы OptiMOS™, выполненные в корпусе без свинца SuperSO8, обладают низким сопротивлением при включении. МОП-транзисторы OptiMOS 3 повышают удельную мощность до 50% в промышленныx, бытовыx и телекоммуникационныx приложенияx. OptiMOS™ 3 выпускается в виде N-канальныx МОП-транзисторов напряжением 40 В, 60 В и 80 В в корпусаx SuperSO8 и термоусадочныx SuperSO8 (S3O8). По сравнению со стандартными транзисторными сxемами (TO), SuperSO8 увеличивает удельную мощность на целыx 50 процентов.

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
Series:XPD048N06
Fall Time:12 ns
Rise Time:5 ns
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Infineon
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:TO252-3
Part # Aliases:IPD048N06L3 G SP005559924
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:37 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Pd - Power Dissipation:115 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:11 ns
Typical Turn-Off Delay Time:56 ns
Id - Continuous Drain Current:90 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:125 S
Rds On - Drain-Source Resistance:4.8 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:60 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1.2 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:2500

Техническая документация