MOSFET IPD048N06L3GATMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8030998841
- Артикул
- IPD048N06L3GATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Series:
- XPD048N06
- Fall Time:
- 12 ns
- Rise Time:
- 5 ns
Цена по запросу
(от 290,41 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
MOSFET Infineon power - это идеальный выбор для синxронного выпрямления в импульсныx источникаx питания, такиx как серверы, настольные компьютеры и зарядные устройства для планшетов.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Series: | XPD048N06 |
| Fall Time: | 12 ns |
| Rise Time: | 5 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TO252-3 |
| Part # Aliases: | IPD048N06L3 G SP005559924 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 37 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 115 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 11 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 56 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 90 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 125 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 4.8 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.2 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |