P-Channel MOSFET, 70 A, 30 V, 3-PIn DPAK InfIneon IPD042P03L3GATMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8063760167
- Артикул
- IPD042P03L3GATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Вес, г
- 1
- Channel Type
- P Channel
- Power Dissipation
- 150Вт
- Drain Source On State Resistance
- 0.0035Ом
Цена по запросу
(от 130 ₽)
Минимальный заказ: 2500 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
IPD042P03L3 G, SP001127836 • Силовой транзистор OptiMOS™ 3 • Один P-канал (логический уровень) • Режим расширения • Соответствует требованиям стандарта JEDEC для целевого применения • Рабочая температура 175°C • Области применения: выключатель нагрузки, HS-переключатель • Не содержит галогенов в соответствии с IEC61249-2-21
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Channel Type | P Channel |
| Power Dissipation | 150Вт |
| Drain Source On State Resistance | 0.0035Ом |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 70А |
| Рассеиваемая Мощность | 150Вт |
| Полярность Транзистора | P Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1.5В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
| Максимальная Рабочая Температура | 175 C |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0035Ом |