Моя заявка (0)

OptiMOS P P-Channel MOSFET, 70 A, 30 V, 3-Pin DPAK IPD042P03L3GATMA1

OptiMOS P P-Channel MOSFET, 70 A, 30 V, 3-Pin DPAK IPD042P03L3GATMA1

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8000183594
Артикул
IPD042P03L3GATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Вес, г
1
Channel Type
P Channel
Power Dissipation
150Вт
Структура
P-Channel
Цена по запросу
(от 460 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

IPD042P03L3 G, SP001127836 • Силовой транзистор OptiMOS™ 3 • Один P-канал (логический уровень) • Режим расширения • Соответствует требованиям стандарта JEDEC для целевого применения • Рабочая температура 175°C • Области применения: выключатель нагрузки, HS-переключатель • Не содержит галогенов в соответствии с IEC61249-2-21

Технические параметры

Вес, г1
Channel TypeP Channel
Power Dissipation150Вт
СтруктураP-Channel
Особенности-
Drain Source On State Resistance0.0035Ом
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока70А
Рассеиваемая Мощность150Вт
Полярность ТранзистораP Канал
Пороговое Напряжение Vgs1.5В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds30В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-252(DPAK)
Максимальная Рабочая Температура175 C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.0035Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А70
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В+5/-16В

Техническая документация