IPD040N03LGATMA1, Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001292725
- Артикул
- IPD040N03LGATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Case
- PG-TO252-3
- Series
- OptiMOSв(ў
- FET Type
- N-Channel
- Mounting
- SMD
Цена по запросу
(от 82 ₽)
Минимальный заказ: 2500 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор МОП n-канальный, полевой, 30В, 79А, 94Вт, PG-TO252-3
Технические параметры
| Case | PG-TO252-3 |
| Series | OptiMOSв(ў |
| FET Type | N-Channel |
| Mounting | SMD |
| Packaging | Cut Tape(CT) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 1 |
| Part Status | Active |
| Manufacturer | Infineon Technologies |
| Polarisation | unipolar |
| Drain current | 79A |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-252-3, DPak(2 Leads+Tab), SC-63 |
| Kind of channel | enhanced |
| Power dissipation | 94W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250ВµA |
| Структура | N-Channel |
| Gate-source voltage | ±20V |
| On-state resistance | 4mΩ |
| Drain-source voltage | 30V |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4 mOhm @ 30A, 10V |
| Особенности | - |
| Power Dissipation (Max) | 79W(Tc) |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38nC @ 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3900pF @ 15V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 90A(Tc) |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 90 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 94 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |