IPD031N06L3GATMA1, Транзистор N-МОП, полевой, 60В, 100А, 167Вт, PG-TO252-3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070057530
- Артикул
- IPD031N06L3GATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Type
- null
- Width
- 6.223mm
- Series
- OptiMOS 3
- Вид
- N-MOSFET
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой IPD031N06L3GATMA1 от INFINEON – это высокопроизводительный N-MOSFET элемент, предназначенный для SMD монтажа. С его помощью можно управлять током стока до 100 А при напряжении сток-исток 60 В, что делает его идеальным выбором для мощных применений. Благодаря низкому сопротивлению в открытом состоянии всего 0,0031 Ом, он обеспечивает повышенную эффективность и уменьшает потери мощности, которая достигает 167 Вт. Корпус PG-TO252-3 гарантирует надежность и простоту интеграции в различные электронные схемы. Выбирая IPD031N06L3GATMA1, вы получаете надежный и долговечный компонент для своих проектов. Код товара для удобства поиска и заказа: IPD031N06L3GATMA1. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж SMD Ток стока, А 100 Напряжение сток-исток, В 60 Мощность, Вт 167 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.0031 Корпус PG-TO252-3
Технические параметры
| Type | null |
| Width | 6.223mm |
| Series | OptiMOS 3 |
| Вид | N-MOSFET |
| Тип | полевой |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.42 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Монтаж | SMD |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Transistor Material | Si |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃@(Tj) |
| Ток стока, А | 100 |
| Power Dissipation (Pd) | 167W |
| Мощность, Вт | 167 |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 167 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 59 nC @ 4.5 V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 79nC@4.5V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 13nF@30V |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Continuous Drain Current (Id) | 100A |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.2V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 5.2 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 100 A |
| Напряжение сток-исток, В | 60 |
| Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.0031 |