Infineon Dual SiC N-Channel MOSFET, 139 A, 60 V, 3-Pin PG-TO252-3 IPD028N06NF2SATMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8064020319
- Артикул
- IPD028N06NF2SATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1
- Channel Mode
- Enhancement
- Channel Type
- N
Цена по запросу
(от 351,61 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальный силовой транзистор Infineon оптимизирован для широкого спектра применений и прошел 100-процентное лавинное тестирование.
Технические параметры
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | PG-TO252-3 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Transistor Material | SiC |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Continuous Drain Current | 139 A |