Моя заявка (0)

IPD025N06NATMA1, Транзистор N-МОП, полевой, 60В, 90А, 167Вт, PG-TO252-3

IPD025N06NATMA1, Транзистор N-МОП, полевой, 60В, 90А, 167Вт, PG-TO252-3

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8022417246
Артикул
IPD025N06NATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Width
6.22mm
Series
OptiMOS 5
Pin Count
3
Вес, г
0.39
Цена по запросу
(от 199,60 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Infineon предлагает большой и всесторонний ассортимент устройств на МОП-транзистораx, который включает семейства CoolMOS, OptiMOS и StrongIRFET.

Технические параметры

Width6.22mm
SeriesOptiMOS 5
Pin Count3
Вес, г0.39
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN Channel
Package TypeDPAK(TO-252)
Mounting TypeSurface Mount
Power Dissipation167Вт
Transistor MaterialSi
Forward Diode Voltage1.2V
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation167 W
Typical Gate Charge @ Vgs71 nC @ 30 V
Maximum Gate Source Voltage-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage60 V
Maximum Operating Temperature+175 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Maximum Drain Source Resistance3.8 mΩ
Drain Source On State Resistance0.0021Ом
Maximum Continuous Drain Current90 A
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока90А
Рассеиваемая Мощность167Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs2.8В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds60В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-252(DPAK)
Максимальная Рабочая Температура175 C
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.0021Ом

Техническая документация