OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 137 A, 30 V Enhancement, 3-Pin PG-TO252-3 IPD023N03LF2SATMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8050801884
- Артикул
- IPD023N03LF2SATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand
- Infineon
- Series
- OptiMOS
- Pin Count
- 3
- Mount Type
- Surface
Цена по запросу
(от 271,63 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощный МОП-транзистор Infineon StrongIRFET 2 с теxнологией 30 В обеспечивает лучшее в своем классе значение RDS (on) в 2,3 Мом в корпусе DPAK. Этот продукт предназначен для широкого спектра применений, от низкой до высокой частоты переключения.
Технические параметры
| Brand | Infineon |
| Series | OptiMOS |
| Pin Count | 3 |
| Mount Type | Surface |
| Вес, г | 1 |
| Package Type | PG-TO252-3 |
| Product Type | MOSFET |
| Корпус | to252 |
| Структура | Type N |
| Automotive Standard | No |
| Standards/Approvals | DIN IEC 68-1:55/175/56, IEC61249-2-21, RoHS |
| Особенности | Enhancement Mode |
| Maximum Power Dissipation Pd | 107W |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 39nC |
| Maximum Operating Temperature | 175°C |
| Minimum Operating Temperature | -55°C |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 137A |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 2.35mΩ |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 137 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |