Моя заявка (0)

IPC50N04S5L5R5ATMA1, 40V 50A 42W 5.5mOhm@25A,10V N Channel TDSON-8-33 MOSFETs

IPC50N04S5L5R5ATMA1, 40V 50A 42W 5.5mOhm@25A,10V N Channel TDSON-8-33 MOSFETs

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8025236275
Артикул
IPC50N04S5L5R5ATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
Pin Count
8
Fall Time:
6 ns
Packaging:
Reel, Cut Tape
Цена по запросу
(от 154 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Infineon оснащен МОП-транзистором OptiMOS power MOSFET для автомобильныx применений, логическим уровнем N-канального режима усиления и соответствует стандарту AEC Q101.

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
Pin Count8
Fall Time:6 ns
Packaging:Reel, Cut Tape
Rise Time:2 ns
Вес, г0.24
Technology:Si
Channel TypeN
Package TypeSuperSO8 5x6
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Infineon
Mounting TypeSurface Mount
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:TDSON-8
Part # Aliases:IPC50N04S5L-5R5 SP001273424
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:23 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:42 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-16 V, +16 V
Typical Turn-On Delay Time:2 ns
Maximum Drain Source Voltage16 V
Typical Turn-Off Delay Time:8 ns
Id - Continuous Drain Current:50 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Maximum Continuous Drain Current50 A
Rds On - Drain-Source Resistance:5.5 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:40 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1.6 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:5000
Крутизна характеристики, S-
Пороговое напряжение на затворе3.4V@13uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А5
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт42
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±16В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)5.5мОм

Техническая документация