N-Channel MOSFET Transistor, 50 A, 16 V, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 IPC50N04S5L5R5ATMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8022409753
- Артикул
- IPC50N04S5L5R5ATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Pin Count
- 8
- Fall Time:
- 6 ns
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
Цена по запросу
(от 69 ₽)
Минимальный заказ: 5000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Infineon оснащен МОП-транзистором OptiMOS power MOSFET для автомобильныx применений, логическим уровнем N-канального режима усиления и соответствует стандарту AEC Q101.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Pin Count | 8 |
| Fall Time: | 6 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 2 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N |
| Package Type | SuperSO8 5x6 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TDSON-8 |
| Part # Aliases: | IPC50N04S5L-5R5 SP001273424 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 23 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 42 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -16 V, +16 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 2 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 16 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 8 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 50 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Continuous Drain Current | 50 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 5.5 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.6 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 5000 |
| Крутизна характеристики, S | - |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 16 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 50 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 42 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0055 Ом/25А, 10В |