IPC50N04S55R8ATMA1, 40V 50A 5.8mOhm@25A,10V 42W N Channel TDSON-8-33 MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025235182
- Артикул
- IPC50N04S55R8ATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Series
- IPC
- FET Type
- N-Channel
- Pin Count
- 8
Цена по запросу
(от 147 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Автомобильные МОП-транзисторы с N-каналом от 20 В до 40 В Автомобильные N-канальные МОП-транзисторы Infineon Technologies напряжением от 20 до 40 В соответствуют стандарту AEC-Q101 и предназначены для применения в автомобилестроении. Они доступны в широком ассортименте комплектаций, включая D-PAK, TOLL (HSOF-8), TOLG (HSOG-8) и SSO8 (TDSON-8). Эти МОП-транзисторы предназначены для широкого спектра применений, включая управление электродвигателями EPS, 3-фазными двигателями и двигателями с Н-образным мостом, управление вентиляторами ОВКВ и электрическими насосами в сочетании с ШИМ-управлением.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Series | IPC |
| FET Type | N-Channel |
| Pin Count | 8 |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Fall Time: | 2 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 1 ns |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 0.24 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SuperSO8 5x6 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TDSON-8 |
| Part # Aliases: | IPC50N04S5-5R8 SP001418130 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 18 nC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.4V @ 13µA |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Silicon |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C(TJ) |
| Power Dissipation (Pd) | 42W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.8mOhm @ 25A, 10V |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 42 W |
| Power Dissipation (Max) | 42W(Tc) |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-33 |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 18nC@10V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 3.2 ns |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1.09nF@25V |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 5 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 50A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 50 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.4V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.0058 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 50 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 5.8 mOhms |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1090 pF @ 25 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 7V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A(Tc) |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.8 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 5000 |
| Пороговое напряжение на затворе | 3.4V@13uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 8 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 42 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 5.8mΩ@25A, 10V |