OptiMOS™ 5 Silicon N-Channel MOSFET, 100 A, 40 V, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 IPC100N04S5L2R6ATMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8033013948
- Артикул
- IPC100N04S5L2R6ATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Series
- OptiMOS™ 5
- Pin Count
- 8
- Fall Time:
- 10 ns
Цена по запросу
(от 260,36 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальный силовой МОП-транзистор логического уровня Infineon, используемый в автомобилестроении. Он прошел 100-процентное лавинное тестирование и соответствует требованиям стандарта AEC Q101.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS™ 5 |
| Pin Count | 8 |
| Fall Time: | 10 ns |
| Rise Time: | 3 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SuperSO8 5x6 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package/Case: | TDSON-8 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | IPC100N04S5L-2R6 SP001418106 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 55 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Silicon |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 5000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 75 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -16 V, +16 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 4 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 20 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 100 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.0026 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 100 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 2 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.2 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 100 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |