Моя заявка (0)

IPC100N04S5L2R6ATMA1, Power MOSFET, N Channel, 40 V, 100 A, 0.002 ohm, TDSON, Surface Mount

IPC100N04S5L2R6ATMA1, Power MOSFET, N Channel, 40 V, 100 A, 0.002 ohm, TDSON, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001887952
Артикул
IPC100N04S5L2R6ATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
Series
OptiMOS™ 5
Pin Count
8
Fall Time:
10 ns
Цена по запросу
(от 212 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Автомобильные МОП-транзисторы с N-каналом от 20 В до 40 В Infineon Technologies Автомобильные МОП-транзисторы с N-каналом от 20 В до 40 В соответствуют стандарту AEC-Q101 для применения в автомобилестроении и доступны в широком диапазоне типов корпусов, включая D-PAK, TOLL (HSOF-8), TOLG (HSOG-8) и SSO8 (TDSON-8). Эти МОП-транзисторы предназначены для широкого спектра применений, включая управление электродвигателями EPS, 3-фазными двигателями и двигателями с Н-образным мостом, управление вентиляторами ОВКВ и электрическими насосами в сочетании с ШИМ-управлением.

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
SeriesOptiMOS™ 5
Pin Count8
Fall Time:10 ns
Rise Time:3 ns
Вес, г0.68
Technology:Si
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeSuperSO8 5x6
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Infineon
Mounting TypeSurface Mount
Package/Case:TDSON-8
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Part # Aliases:IPC100N04S5L-2R6 SP001418106
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:55 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor MaterialSilicon
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:5000
Особенности-
Pd - Power Dissipation:75 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-16 V, +16 V
Number of Elements per Chip1
Typical Turn-On Delay Time:4 ns
Maximum Drain Source Voltage40 V
Typical Turn-Off Delay Time:20 ns
Id - Continuous Drain Current:100 A
Maximum Gate Threshold Voltage2V
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Maximum Drain Source Resistance0.0026 Ω
Maximum Continuous Drain Current100 A
Rds On - Drain-Source Resistance:2 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:40 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1.2 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А6
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.002 Ом

Техническая документация