Моя заявка (0)

IPC100N04S5L1R9ATMA1, 40V 100A 100W 1.9mOhm@50A,10V N Channel TDSON-8-34 MOSFETs

IPC100N04S5L1R9ATMA1, 40V 100A 100W 1.9mOhm@50A,10V N Channel TDSON-8-34 MOSFETs

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070058854
Артикул
IPC100N04S5L1R9ATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
Series
IPC
Pin Count
8
Fall Time:
22 ns
Цена по запросу
(от 150,64 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Силовой МОП-транзистор Infineon n-канального логического уровня, используемый в автомобилестроении. Он прошел 100-процентное лавинное тестирование и соответствует требованиям стандарта AEC Q101.

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
SeriesIPC
Pin Count8
Fall Time:22 ns
Packaging:Reel, Cut Tape
Rise Time:5 ns
Вес, г0.56
Technology:Si
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeSuperSO8 5x6
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Infineon
Mounting TypeSurface Mount
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:TDSON-8
Part # Aliases:IPC100N04S5L-1R9 SP001360570
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:81 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor MaterialSilicon
Transistor Polarity:N-Channel
Pd - Power Dissipation:100 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-16 V, +16 V
Number of Elements per Chip1
Typical Turn-On Delay Time:5 ns
Maximum Drain Source Voltage40 V
Typical Turn-Off Delay Time:29 ns
Id - Continuous Drain Current:100 A
Maximum Gate Threshold Voltage2V
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Maximum Drain Source Resistance0.0019 Ω
Maximum Continuous Drain Current100 A
Rds On - Drain-Source Resistance:1.9 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:40 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1.6 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:5000

Техническая документация