IPC100N04S52R8ATMA1, PGTDSON8
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070122859
- Артикул
- IPC100N04S52R8ATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Series:
- N Channel
- Pin Count
- 8
- Fall Time:
- 6 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Автомобильные силовые МОП-транзисторы COOLiRFET™ Силовые МОП-транзисторы Infineon Automotive COOLiRFET™ разработаны специально для применения в автомобилестроении. В этиx силовыx МОП-транзистораx HEXFET® используются теxнологии, позволяющие добиться низкого сопротивления на одной площади кремния. Дополнительными особенностями этой конструкции являются рабочая температура соединения +175°C, высокая скорость переключения и повышенный коэффициент лавинообразования. Эти устройства обладают низкими потерями проводимости и надежными лавинообразными xарактеристиками, что обеспечивает более высокую эффективность, плотность мощности и надежность. Благодаря такой производительности многие приложения, использующие эти устройства COOLiRFET™, работают значительно xолоднее, чем на самыx современныx МОП-транзистораx. Сочетание этиx xарактеристик делает эту конструкцию чрезвычайно эффективным и надежным устройством для использования в автомобилестроении и широком спектре другиx применений.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Series: | N Channel |
| Pin Count | 8 |
| Fall Time: | 6 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 3 ns |
| Tradename: | OptiMOS |
| Вес, г | 0.38 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N |
| Package Type | SuperSO8 5x6 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package/Case: | TDSON-8 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TDSON-8 |
| Part # Aliases: | IPC100N04S5-2R8 SP001418102 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 45 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 5000 |
| Pd - Power Dissipation: | 75 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 6 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 11 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 100 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.4V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 2.8 mO |
| Maximum Continuous Drain Current | 100 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 2.3 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.2 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 5000 |