Моя заявка (0)
IPC100N04S52R8ATMA1, MOSFETs MOSFET_(20V,40V)

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8005544865
Артикул
IPC100N04S52R8ATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
Series:
N Channel
Pin Count
8
Fall Time:
6 ns
Цена по запросу
(от 137,40 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Автомобильные МОП-транзисторы с N-каналом от 20 В до 40 В Infineon Technologies Автомобильные МОП-транзисторы с N-каналом от 20 В до 40 В соответствуют стандарту AEC-Q101 для применения в автомобилестроении и доступны в широком диапазоне типов корпусов, включая D-PAK, TOLL (HSOF-8), TOLG (HSOG-8) и SSO8 (TDSON-8). Эти МОП-транзисторы предназначены для широкого спектра применений, включая управление электродвигателями EPS, 3-фазными двигателями и двигателями с Н-образным мостом, управление вентиляторами ОВКВ и электрическими насосами в сочетании с ШИМ-управлением.

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
Series:N Channel
Pin Count8
Fall Time:6 ns
Packaging:Reel, Cut Tape
Rise Time:3 ns
Tradename:OptiMOS
Вес, г0.11
Technology:Si
Channel TypeN
Package TypeSuperSO8 5x6
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Infineon
Mounting TypeSurface Mount
Package/Case:TDSON-8
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:TDSON-8
Part # Aliases:IPC100N04S5-2R8 SP001418102
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:45 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:5000
Pd - Power Dissipation:75 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Typical Turn-On Delay Time:6 ns
Maximum Drain Source Voltage40 V
Typical Turn-Off Delay Time:11 ns
Id - Continuous Drain Current:100 A
Maximum Gate Threshold Voltage3.4V
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Maximum Drain Source Resistance2.8 mO
Maximum Continuous Drain Current100 A
Rds On - Drain-Source Resistance:2.3 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:40 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.2 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:5000

Техническая документация