Моя заявка (0)

N-Channel MOSFET, 100 A, 40 V, 8-PIn SuperSO8 5 x 6 InfIneon IPC100N04S51R9ATMA1

N-Channel MOSFET, 100 A, 40 V, 8-PIn SuperSO8 5 x 6 InfIneon IPC100N04S51R9ATMA1

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8063732141
Артикул
IPC100N04S51R9ATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
Pin Count
8
Fall Time:
7 ns
Rise Time:
4 ns
Цена по запросу
(от 120 ₽)
Минимальный заказ: 5000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Автомобильные МОП-транзисторы с N-каналом от 20 В до 40 В Автомобильные N-канальные МОП-транзисторы Infineon Technologies напряжением от 20 до 40 В соответствуют стандарту AEC-Q101 и предназначены для применения в автомобилестроении. Они доступны в широком ассортименте комплектаций, включая D-PAK, TOLL (HSOF-8), TOLG (HSOG-8) и SSO8 (TDSON-8). Эти МОП-транзисторы предназначены для широкого спектра применений, включая управление электродвигателями EPS, 3-фазными двигателями и двигателями с Н-образным мостом, управление вентиляторами ОВКВ и электрическими насосами в сочетании с ШИМ-управлением.

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
Pin Count8
Fall Time:7 ns
Rise Time:4 ns
Вес, г1
Technology:Si
Channel TypeN
Package TypeSuperSO8 5x6
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Infineon
Mounting TypeSurface Mount
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:TDSON-8
Part # Aliases:IPC100N04S5-1R9 SP001360564
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:65 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Pd - Power Dissipation:100 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Typical Turn-On Delay Time:8 ns
Maximum Drain Source Voltage40 V
Typical Turn-Off Delay Time:15 ns
Id - Continuous Drain Current:100 A
Maximum Gate Threshold Voltage3.4V
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Maximum Drain Source Resistance1.9 mO
Maximum Continuous Drain Current100 A
Rds On - Drain-Source Resistance:1.9 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:40 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.8 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:5000

Техническая документация