Моя заявка (0)
IPC100N04S51R2ATMA1, MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8073819383
Артикул
IPC100N04S51R2ATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
Fall Time:
15 ns
Packaging:
Reel, Cut Tape
Rise Time:
7 ns
Цена по запросу
(от 270 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Автомобильные МОП-транзисторы с N-каналом от 20 В до 40 В Infineon Technologies Автомобильные МОП-транзисторы с N-каналом от 20 В до 40 В соответствуют стандарту AEC-Q101 для применения в автомобилестроении и доступны в широком диапазоне типов корпусов, включая D-PAK, TOLL (HSOF-8), TOLG (HSOG-8) и SSO8 (TDSON-8). Эти МОП-транзисторы предназначены для широкого спектра применений, включая управление электродвигателями EPS, 3-фазными двигателями и двигателями с Н-образным мостом, управление вентиляторами ОВКВ и электрическими насосами в сочетании с ШИМ-управлением.

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
Fall Time:15 ns
Packaging:Reel, Cut Tape
Rise Time:7 ns
Вес, г0.12
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Infineon
Package/Case:TDSON-8
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Part # Aliases:IPC100N04S5-1R2 SP001262620
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:131 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:5000
Pd - Power Dissipation:150 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:12 ns
Typical Turn-Off Delay Time:21 ns
Id - Continuous Drain Current:100 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:1.2 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:40 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.8 V

Техническая документация