IPBE65R230CFD7AATMA1, Power MOSFET, N Channel, 650 V, 11 A, 0.23 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8046445581
- Артикул
- IPBE65R230CFD7AATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Fall Time:
- 5 ns
- Rise Time:
- 3 ns
- Вес, г
- 0.003
Цена по запросу
(от 582 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор AUTOMOTIVE
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Fall Time: | 5 ns |
| Rise Time: | 3 ns |
| Вес, г | 0.003 |
| Серия | CoolMOS CFD7A |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | TO-263 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Product Type: | MOSFETs |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TO-263-7-11 |
| Part # Aliases: | IPBE65R230CFD7A SP005344079 |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 23 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 5 ns |
| Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 63 W |
| Тип продукта | MOSFET |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 13 ns |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | PG-TO263-7-11 |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 56 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
| Id - Continuous Drain Current: | 11 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Qg - заряд затвора | 23 nC |
| Время нарастания | 3 ns |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 439 mOhms |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 63 W |
| Другие названия товара № | IPBE65R230CFD7A SP005344079 |
| Id - непрерывный ток утечки | 11 A |
| Коммерческое обозначение | CoolMOS |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 439 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 В |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 56 ns |
| Типичное время задержки при включении | 13 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 7 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 63 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.23 Ом |