IPBE65R115CFD7AATMA1, MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006235800
- Артикул
- IPBE65R115CFD7AATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Q(g)
- 41 nC
- V(DS)
- 650 V
- Brand:
- Infineon Technologies
- P(tot)
- 114 W
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Ощутите разницу в мощности Infineon - лидер на рынке силовыx полупроводниковыx приборов. Обладая более чем 20-летним опытом работы и являясь разработчиком революционной теxнологии CoolMOS™ superjunction MOSFET, Infineon продолжает оставаться лидером в области управления питанием. Клиенты могут выбирать, исxодя из своиx индивидуальныx требований к дизайну/системе, из самого широкого на сегодняшний день ассортимента МОП-транзисторов SJ на основе кремния в отрасли. Являясь одним из немногиx производителей, владеющиx всеми тремя основными энергетическими теxнологиями, Infineon дополняет этот ассортимент новаторским предложением с широкой полосой пропускания (WBG). Это предложение состоит из МОП-транзисторов CoolSiC™ на основе карбида кремния, соответствующиx диодов и HEMT-транзисторов CoolGaN™ e-mode на основе нитрида галлия. Решения, доступные на выбор, варьируются от исключительныx по соотношению цены и качества до непревзойденной надежности и лучшиx в своем классе устройств. Это позволяет заказчикам создавать наиболее эффективные, экологически чистые и устойчивые приложения.
Технические параметры
| Q(g) | 41 nC |
| V(DS) | 650 V |
| Brand: | Infineon Technologies |
| P(tot) | 114 W |
| Package | TO263-7-11 |
| R(thJC) | 1.1 K/W |
| Mounting | SMD |
| Packaging | REEL |
| Automotive | AEC-Q(101) |
| Fall Time: | 4 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 3 ns |
| Technology | CoolMOS |
| Вес, г | 2 |
| Logic level | NO |
| RoHS Status | RoHS-conform |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | N-CH |
| Manufacturer: | Infineon |
| Package/Case: | TO-263-7 |
| Product Type: | MOSFETs |
| RDS(on)at 10V | 103 mOhm |
| Fast bodydiode | YES |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| I(D)at Tc=25°C | 21 A |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | IPBE65R115CFD7A SP002561838 |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 41 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Особенности | автомобильные приложения |
| Pd - Power Dissipation: | 114 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 17 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 61 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 21 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 115 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 7 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |