Моя заявка (0)

IPBE65R075CFD7AATMA1, 650V 32A 171W 75m @10V 4.5V@0.82mA 1 N-Channel TO-263-7-3-10 Single FETs, MOSFETs ROHS

IPBE65R075CFD7AATMA1, 650V 32A 171W 75m @10V 4.5V@0.82mA 1 N-Channel TO-263-7-3-10 Single FETs, MOSFETs ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8072919912
Артикул
IPBE65R075CFD7AATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Q(g)
68 nC
V(DS)
650 V
P(tot)
171 W
Package
TO-263-7
Цена по запросу
(от 1 450 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор AUTOMOTIVE

Технические параметры

Q(g)68 nC
V(DS)650 V
P(tot)171 W
PackageTO-263-7
R(thJC)0.73 K/W
MountingSMD
PackagingREEL
AutomotiveAEC-Q(101)
TechnologyCoolMOS
Вес, г1.91
СерияCoolMOS CFD7A
Logic levelNO
RoHS StatusRoHS-conform
ConfigurationN-CH
RDS(on)at 10V62 mOhm
Fast bodydiodeYES
I(D)at Tc=25°C32 A
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада4 ns
Тип продуктаMOSFET
КвалификацияAEC-Q101
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаInfineon Technologies
Упаковка / блокPG-TO263-7-11
Канальный режимEnhancement
Qg - заряд затвора68 nC
Время нарастания3 ns
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности171 W
Другие названия товара №IPBE65R075CFD7A SP005344082
Id - непрерывный ток утечки32 A
Коммерческое обозначениеCoolMOS
Размер фабричной упаковки1000
Vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток139 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток650 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения92 ns
Типичное время задержки при включении24 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток4 V

Техническая документация