MOSFET, 211 A, 650 V PG-TO263 IPBE65R050CFD7AATMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8031012811
- Артикул
- IPBE65R050CFD7AATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Fall Time:
- 3 ns
- Rise Time:
- 4 ns
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 2 160,07 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Теxнология Infineon CoolMOS C3A была разработана для удовлетворения растущиx требований к системам с более высоким напряжением в области электромобилей, такиx как PHEV и BEV.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Fall Time: | 3 ns |
| Rise Time: | 4 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Package Type | PG-TO263 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package/Case: | TO-263-7-11 |
| Product Type: | MOSFET |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | IPBE65R050CFD7A SP005339090 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 102 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 227 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 34 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 115 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 45 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Continuous Drain Current | 211 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 92 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 211 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 227 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |