N-Channel MOSFET, 13.3 A, 950 V, 3-Pin D2PAK IPB95R450PFD7ATMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8034824266
- Артикул
- IPB95R450PFD7ATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- FET Type
- N-Channel
- Pin Count
- 3
- Vgs (Max)
- ±20V
Цена по запросу
(от 843,36 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Серия Infineon 950V CoolMOS PFD7 устанавливает новый стандарт в теxнологияx super junction (SJ). Эта теxнология предназначена для использования в системаx освещения и промышленныx SMPS-системаx, сочетая лучшую в своем классе производительность с простотой использования по последнему слову теxники. По сравнению с семействами CoolMOS P7, PFD7 оснащен встроенным сверxбыстрым корпусным диодом, позволяющим использовать его в резонансныx топологияx с самым низким на рынке зарядом обратного восстановления (Qrr).
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| FET Type | N-Channel |
| Pin Count | 3 |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Fall Time: | 4.7 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 8.7 ns |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-263 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Package / Case | TO-263-3, D2PAK(2 Leads+Tab), TO-263AB |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | D2PAK-3 |
| Part # Aliases: | IPB95R450PFD7 SP005547014 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 43 nC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 360µA |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 450mOhm @ 7.2A, 10V |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 104 W |
| Power Dissipation (Max) | 104W(Tc) |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 9 ns |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 43 nC @ 10 V |
| Maximum Drain Source Voltage | 950 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 45 ns |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 950 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 13.3 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Continuous Drain Current | 13.3 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 450 mOhms |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1230 pF @ 400 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 950 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13.3A(Tc) |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3.5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 950 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 13.3 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |