Моя заявка (0)
IPB95R310PFD7ATMA1, MOSFETs LOW POWER_NEW

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8026767627
Артикул
IPB95R310PFD7ATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
FET Type
N-Channel
Vgs (Max)
±30V
Technology
MOSFET(Metal Oxide)
Вес, г
48.4
Цена по запросу
(от 332,33 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальный 950 В 17,5 А (Tc) 125 Вт (Tc) для поверxностного монтажа PG-TO263-3-2

Технические параметры

FET TypeN-Channel
Vgs (Max)±30V
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Вес, г48.4
Mounting TypeSurface Mount
Package / CaseTO-263-3, D2PAK(2 Leads+Tab), TO-263AB
Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 520µA
СтруктураMOSFET
Operating Temperature-55°C ~ 150°C(TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs310mOhm @ 10.4A, 10V
Особенности-
Power Dissipation (Max)125W(Tc)
Supplier Device PackagePG-TO263-3-2
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs61 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)950 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1765 pF @ 400 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C17.5A(Tc)
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А7
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация