Моя заявка (0)

iPB Type P-Channel MOSFET, 17 A, 800 V Enhancement TO-263 IPB80R290C3AATMA2

iPB Type P-Channel MOSFET, 17 A, 800 V Enhancement TO-263 IPB80R290C3AATMA2

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8030973775
Артикул
IPB80R290C3AATMA2
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Вес, г
1
Channel Type
N Channel
Package Type
PG-TO263-3-2
Корпус
TO-263
Цена по запросу
(от 1 315,15 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Теxнология Infineon CoolMOS C3A была разработана для удовлетворения растущиx требований к системам с более высоким напряжением в области электромобилей, такиx как PHEV и BEV.

Технические параметры

Вес, г1
Channel TypeN Channel
Package TypePG-TO263-3-2
КорпусTO-263
Mounting TypeSMD
Power Dissipation227Вт
СтруктураP-Channel
ОсобенностиEnhancement Mode
КвалификацияAEC-Q101
Maximum Drain Source Voltage800 V
Drain Source On State Resistance0.25Ом
Maximum Continuous Drain Current17 A
Линейка ПродукцииCoolMOS
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока17А
Пороговое Напряжение Vgs3В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds800В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-263(D2PAK)
Максимальная Рабочая Температура150°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В800
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А17
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт227
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация