Моя заявка (0)

IPB80P04P4L08ATMA2,Power MOSFET, P Channel, 40 V, 80 A, 0.0065 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount

IPB80P04P4L08ATMA2,Power MOSFET, P Channel, 40 V, 80 A, 0.0065 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8009018731
Артикул
IPB80P04P4L08ATMA2
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Вес, г
2
Channel Type
P
Package Type
PG-TO263-3-2
Корпус
TO-263
Цена по запросу
(от 311 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

OptiMOS-P2- Силовой транзистор с режимом усиления P-канала 40 В 80 А, 3-контактный TO-263, Поверxность М

Технические параметры

Вес, г2
Channel TypeP
Package TypePG-TO263-3-2
КорпусTO-263
Mounting TypeSMD
СтруктураP-Channel
Особенности-
Maximum Drain Source Voltage40 V
Maximum Continuous Drain Current80 A
Пороговое напряжение на затворе2…4 В
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А8
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.0065 Ом

Техническая документация