P-Channel MOSFET, 80 A, 40 V PG-TO263-3-2 IPB80P04P4L06ATMA2
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8030973773
- Артикул
- IPB80P04P4L06ATMA2
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Fall Time:
- 44 ns
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
- Rise Time:
- 12 ns
Цена по запросу
(от 517 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовой транзистор Infineon OptiMOS-P2 работает в режиме повышения логического уровня P-канала. Его рабочая температура составляет 175°C.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Fall Time: | 44 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 12 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | P |
| Package Type | PG-TO263-3-2 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | SMD |
| Package/Case: | TO-263-3-2 |
| Product Type: | MOSFET |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | IPB80P04P4L-06 SP002325754 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 80 nC |
| Структура | P-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 88 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -16 V, +5 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 17 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 61 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 80 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Continuous Drain Current | 80 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 8.2 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.7 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 80 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |