P-Channel MOSFET, 80 A, 40 V PG-TO263-3-2 IPB80P04P4L04ATMA2
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8030973772
- Артикул
- IPB80P04P4L04ATMA2
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Fall Time:
- 65 ns
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
- Rise Time:
- 13 ns
Цена по запросу
(от 684,28 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовой транзистор Infineon OptiMOS-P2 отличается наименьшими потерями мощности при переключении и проводимости при высочайшей тепловой эффективности.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Fall Time: | 65 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 13 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | P |
| Package Type | PG-TO263-3-2 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | SMD |
| Product Type: | MOSFET |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TO-263-3-2 |
| Part # Aliases: | IPB80P04P4L-04 SP002325756 |
| Power Dissipation | 125Вт |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 135 nC |
| Структура | P-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 125 W |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -16 V, +5 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 28 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 119 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 80 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Drain Source On State Resistance | 0.0038Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 80 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 5.6 mOhms |
| Линейка Продукции | OptiMOS-P2 |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.7 V |
| Непрерывный Ток Стока | 80А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1.7В |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 40В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-263(D2PAK) |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 80 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |