OptiMOS P P-Channel MOSFET, 80 A, 40 V, 3-Pin D2PAK IPB80P04P407ATMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8013254834
- Артикул
- IPB80P04P407ATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Width
- 9.25mm
- Series
- OptiMOS P
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 46
Цена по запросу
(от 449,48 ₽)
Минимальный заказ: 25 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
P-канальные МОП-транзисторы Infineon OptiMOS™ разработаны таким образом, чтобы обеспечить расширенные возможности и высокое качество исполнения.
Технические параметры
| Width | 9.25mm |
| Series | OptiMOS P |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 46 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | P-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Power Dissipation (Pd) | 88W |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 88 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 68 nC @ 10 V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 89nC@10V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 6.085nF@25V |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Continuous Drain Current (Id) | 80A |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 7.7 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 80 A |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@150uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 80 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 88 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 7.4mΩ@80A, 10V |