Моя заявка (0)

IPB80P04P405ATMA2, Power MOSFET, P Channel, 40 V, 80 A, 0.0037 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount

IPB80P04P405ATMA2, Power MOSFET, P Channel, 40 V, 80 A, 0.0037 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8008725903
Артикул
IPB80P04P405ATMA2
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Вес, г
2
Channel Type
P Channel
Package Type
PG-TO263-3-2
Корпус
TO-263
Цена по запросу
(от 403 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Силовой транзистор Infineon OptiMOS-P2 работает в режиме повышения нормального уровня P-канала. Его рабочая температура составляет 175°C.

Технические параметры

Вес, г2
Channel TypeP Channel
Package TypePG-TO263-3-2
КорпусTO-263
Mounting TypeSMD
Power Dissipation125Вт
СтруктураP-Channel
Особенности-
КвалификацияAEC-Q101
Maximum Drain Source Voltage40 V
Drain Source On State Resistance0.0037Ом
Maximum Continuous Drain Current80 A
Линейка ПродукцииOptiMOS-P2
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока80А
Пороговое Напряжение Vgs3В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds40В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-263(D2PAK)
Пороговое напряжение на затворе2…4 В
Максимальная Рабочая Температура175°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В40
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А405
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.0037 Ом

Техническая документация