N-Channel MOSFET, 80 A, 75 V D2PAK IPB80N08S2L07ATMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8033014283
- Артикул
- IPB80N08S2L07ATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1
- Длина
- 10 mm
- Channel Type
- N
Цена по запросу
(от 1 505,42 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Infineon OptiMOS - это силовой МОП-транзистор для автомобильной промышленности. Рабочий канал - N. Он соответствует стандарту AEC Q101.
Технические параметры
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Длина | 10 mm |
| Channel Type | N |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Высота | 4.4 mm |
| Ширина | 9.25 mm |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 22 ns |
| Power Dissipation (Pd) | 300W |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 233nC@10V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | TO-263-3 |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 5.4nF@25V |
| Maximum Drain Source Voltage | 75 V |
| Continuous Drain Current (Id) | 80A |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 233 nC |
| Время нарастания | 55 ns |
| Maximum Continuous Drain Current | 80 A |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 300 W |
| Другие названия товара № | IPB80N08S2L-07 IPB8N8S2L7XT SP000219051 |
| Id - непрерывный ток утечки | 80 A |
| Коммерческое обозначение | OptiMOS |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 4.8 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 75 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 2V@250uA |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Типичное время задержки выключения | 85 ns |
| Типичное время задержки при включении | 19 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.2 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 75 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 80 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 300 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 6.8mΩ@80A, 10V |