Моя заявка (0)

IPB80N08S207ATMA1, Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

IPB80N08S207ATMA1, Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001293032
Артикул
IPB80N08S207ATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Вес, г
1
Channel Type
N Channel
Power Dissipation
300Вт
Структура
N-Channel
Цена по запросу
(от 1 440 ₽)
Минимальный заказ: 21 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

IPB80N08S2-07, SP000219048 • Силовой транзистор Optima® • Режим N-канального усиления • Соответствует требованиям стандарта AEC Q101 для автомобильной теxники • Сверxнизкий Rds (вкл.) • 100%-ная лавинная проверка

Технические параметры

Вес, г1
Channel TypeN Channel
Power Dissipation300Вт
СтруктураN-Channel
Особенностиавтомобильные приложения
КвалификацияAEC-Q101
Drain Source On State Resistance0.0055Ом
Линейка ПродукцииOptiMOS
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока80А
Рассеиваемая Мощность300Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs3В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds75В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-263(D2PAK)
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальная Рабочая Температура175 C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В75
Стандарты Автомобильной ПромышленностиAEC-Q101
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.0055Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А207
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт300
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация