Моя заявка (0)

IPB80N08S207ATMA1, Power MOSFET, N Channel, 75 V, 80 A, 0.0055 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount

IPB80N08S207ATMA1, Power MOSFET, N Channel, 75 V, 80 A, 0.0055 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8000019859
Артикул
IPB80N08S207ATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Вес, г
0.1
Channel Type
N Channel
Корпус
TO-263
Power Dissipation
300Вт
Цена по запросу
(от 1 970 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

IPB80N08S2-07, SP000219048 • Силовой транзистор Optima® • Режим N-канального усиления • Соответствует требованиям стандарта AEC Q101 для автомобильной теxники • Сверxнизкий Rds (вкл.) • 100%-ная лавинная проверка

Технические параметры

Вес, г0.1
Channel TypeN Channel
КорпусTO-263
Power Dissipation300Вт
СтруктураN-Channel
Особенности-
КвалификацияAEC-Q101
Drain Source On State Resistance0.0055Ом
Линейка ПродукцииOptiMOS
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока80А
Рассеиваемая Мощность300Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs3В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds75В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-263(D2PAK)
Пороговое напряжение на затворе2…4 В
Максимальная Рабочая Температура175 C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В75
Стандарты Автомобильной ПромышленностиAEC-Q101
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.0055Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А207
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт300
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.0055 Ом

Техническая документация