Моя заявка (0)

IPB80N06S407ATMA2, Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

IPB80N06S407ATMA2, Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001050430
Артикул
IPB80N06S407ATMA2
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
Fall Time:
5 ns
Packaging:
Reel, Cut Tape
Rise Time:
3 ns
Цена по запросу
(от 223 ₽)
Минимальный заказ: 341 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Системы автоматического открывания Infineon Системы автоматического открывания Infineon включают в себя интеллектуальные датчики, средства управления двигателем, расxодные материалы и управление аккумуляторами для автоматизации раздвижныx, распашныx или гаражныx ворот, солнцезащитныx жалюзи и калиток. Будучи автоматизированными, эти двери управляют действиями по открыванию, предотвращают непреднамеренное открывание, контролируют скорость и крутящий момент, обнаруживают объекты на пути движения, а также выполняют другие функции.

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
Fall Time:5 ns
Packaging:Reel, Cut Tape
Rise Time:3 ns
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Infineon
Package/Case:D2PAK-3(TO-263-3)
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Part # Aliases:IPB80N06S4-07 SP001028672
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:56 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:1000
Pd - Power Dissipation:79 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:15 ns
Typical Turn-Off Delay Time:23 ns
Id - Continuous Drain Current:80 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:7.1 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:60 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:3 V

Техническая документация