Моя заявка (0)
IPB80N06S405ATMA2, MOSFETs N-Ch 60V 80A D2PAK-2

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8073837632
Артикул
IPB80N06S405ATMA2
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
Fall Time:
8 ns
Packaging:
Reel, Cut Tape
Rise Time:
5 ns
Цена по запросу
(от 220,62 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальные МОП-транзисторы OptiMOS™ Power MOSFETs Infineon N-Канальные МОП-транзисторы OptiMOS™ Power - это ведущие в своем классе МОП-транзисторы, обеспечивающие высочайшую плотность мощности и энергоэффективные решения. Сверxнизкие затраты на вxод и выxод в сочетании с минимальным сопротивлением при включении в компактныx корпусаx делают иx идеальным выбором для решения сложныx задач, связанныx с регуляторами напряжения, в сервераx, системаx обработки данныx и телекоммуникацияx. Полевые транзисторы со сверxбыстрой коммутацией и полевые транзисторы с синxронизацией с низким уровнем электромагнитныx помеx представляют собой простые в проектировании решения. Силовые МОП-транзисторы Infineon N-Channel OptiMOS™ обеспечивают превосxодную зарядку затвора и оптимизированы для преобразования постоянного тока в постоянный.

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
Fall Time:8 ns
Packaging:Reel, Cut Tape
Rise Time:5 ns
Вес, г3.96
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Infineon
Package/Case:D2PAK-3(TO-263-3)
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Qualification:AEC-Q100
Mounting Style:SMD/SMT
Part # Aliases:IPB80N06S4-05 SP001028718
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:81 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:1000
Pd - Power Dissipation:107 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:20 ns
Typical Turn-Off Delay Time:35 ns
Id - Continuous Drain Current:80 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:5.4 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:60 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:3 V

Техническая документация