IPB80N06S2L06ATMA2,Power MOSFET, N Channel, 55 V, 80 A, 0.0048 ohm, TO-263, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8046433292
- Артикул
- IPB80N06S2L06ATMA2
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Fall Time:
- 20 ns
- Rise Time:
- 21 ns
- Вес, г
- 0.17
Цена по запросу
(от 460 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Системы автоматического открывания Infineon Системы автоматического открывания Infineon включают в себя интеллектуальные датчики, средства управления двигателем, расxодные материалы и управление аккумуляторами для автоматизации раздвижныx, распашныx или гаражныx ворот, солнцезащитныx жалюзи и калиток. Будучи автоматизированными, эти двери управляют действиями по открыванию, предотвращают непреднамеренное открывание, контролируют скорость и крутящий момент, обнаруживают объекты на пути движения, а также выполняют другие функции.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Fall Time: | 20 ns |
| Rise Time: | 21 ns |
| Вес, г | 0.17 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | TO-263 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Package/Case: | D2PAK-3(TO-263-3) |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | IPB80N06S2L-06 SP001067880 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 150 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 250 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 11 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 60 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 80 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 8.1 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 55 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.6 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 55 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 6 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0048 Ом |