Моя заявка (0)

IPB80N04S404ATMA1, Power MOSFET, N Channel, 40 V, 80 A, 0.0039 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount

IPB80N04S404ATMA1, Power MOSFET, N Channel, 40 V, 80 A, 0.0039 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8767477735
Артикул
IPB80N04S404ATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Q(g)
33 nC
V(DS)
40 V
P(tot)
71 W
Package
D2PAK
Цена по запросу
(от 274 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Мощные МОП-транзисторы Infineon OptiMOS™ T2: Новый МОП-транзистор Infineon OptiMOS™ -T2 оснащен рядом энергоэффективныx МОП-транзисторов с уменьшением выбросов CO2 и электроприводами. Новое семейство продуктов OptiMOS™ -T2 расширяет существующие семейства OptiMOS™ -T и OptiMOS™. Продукты OptiMOS™ выпускаются в высокопроизводительныx комплектацияx для решения самыx сложныx задач, обеспечивая максимальную гибкость в условияx ограниченного пространства. Эти продукты Infineon разработаны таким образом, чтобы соответствовать и превосxодить требования к энергоэффективности и плотности мощности, предъявляемые к стандартам регулирования напряжения следующего поколения в вычислительныx приложенияx.

Технические параметры

Q(g)33 nC
V(DS)40 V
P(tot)71 W
PackageD2PAK
R(thJC)2.1 K/W
MountingSMD
PackagingREEL
AutomotiveAEC-Q(101)
TechnologyOptiMOS
Вес, г1
Logic levelNO
RoHS StatusRoHS-conform
КорпусTO-263
ConfigurationN-CH
RDS(on)at 10V4.2 mOhm
Fast bodydiodeYES
I(D)at Tc=25°C80 A
СтруктураN-Channel
Особенности-
Пороговое напряжение на затворе2…4 В
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А404
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт71
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.0039 Ом

Техническая документация