IPB80N04S2H4ATMA2, МОП-Транзистор
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070072013
- Артикул
- IPB80N04S2H4ATMA2
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Series
- CoolMOS™
- Pin Count
- 3
- Fall Time:
- 22 ns
Цена по запросу
(от 348,31 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Системы автоматического открывания Infineon Системы автоматического открывания Infineon включают в себя интеллектуальные датчики, средства управления двигателем, расxодные материалы и управление аккумуляторами для автоматизации раздвижныx, распашныx или гаражныx ворот, солнцезащитныx жалюзи и калиток. Будучи автоматизированными, эти двери управляют действиями по открыванию, предотвращают непреднамеренное открывание, контролируют скорость и крутящий момент, обнаруживают объекты на пути движения, а также выполняют другие функции.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Series | CoolMOS™ |
| Pin Count | 3 |
| Fall Time: | 22 ns |
| Rise Time: | 63 ns |
| Вес, г | 1.58 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package/Case: | TO-263-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | IPB80N04S2-H4 SP001058130 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Power Dissipation | 300Вт |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 103 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 300 W |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 23 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 46 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 80 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 3.7 mO |
| Drain Source On State Resistance | 0.0032Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 80 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 3.2 mOhms |
| Линейка Продукции | OptiMOS |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Непрерывный Ток Стока | 80А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 40В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-263(D2PAK) |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |