Моя заявка (0)

IPB70N10SL16ATMA1, Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

IPB70N10SL16ATMA1, Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001292311
Артикул
IPB70N10SL16ATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Tab
Tab
PPAP
Unknown
SVHC
Yes
Mounting
Surface Mount
Цена по запросу
(от 557 ₽)
Минимальный заказ: 148 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзистор MOSFET N-CH 100V 70A 3-контактный (2+Tab) D2PAK T/R

Технические параметры

TabTab
PPAPUnknown
SVHCYes
MountingSurface Mount
PackagingTape and Reel
Pin Count3
AutomotiveYes
Lead ShapeGull-wing
Вес, г1
PCB changed2
Part StatusObsolete
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
ConfigurationSingle
Package Width9.25 mm
Package Length10 mm
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackageD2PAK
Process TechnologySIPMOS
СтруктураN-Channel
Standard Package NameTO-263
SVHC Exceeds ThresholdYes
Typical Fall Time (ns)95
Typical Rise Time (ns)250
Особенности-
Number of Elements per Chip1
Maximum Power Dissipation (mW)250000
Typical Gate Charge @ 10V (nC)160
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)160@10V
Maximum Gate-Source Voltage (V)±20
Typical Turn-On Delay Time (ns)70
Maximum Drain-Source Voltage (V)100
Typical Turn-Off Delay Time (ns)250
Maximum Gate Threshold Voltage (V)2
Maximum Operating Temperature (°C)175
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Continuous Drain Current (A)70
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)3630@25V
Maximum Drain-Source Resistance (mOhm)16@10V
Maximum Pulsed Drain Current @ TC=25°C (A)280
Пороговое напряжение на затворе2…4 В
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А16
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация