IPB70N10S312ATMA1, MOSFETs N-Ch 100V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004723271
- Артикул
- IPB70N10S312ATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Series:
- XPB70N10
- Pin Count
- 3
- Fall Time:
- 8 ns
Цена по запросу
(от 311,43 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Автомобильные N-канальные МОП-транзисторы напряжением от 75 В до 100 В Автомобильные N-канальные МОП-транзисторы Infineon Technologies напряжением от 75 В до 100 В соответствуют стандарту AEC-Q101 для применения в автомобилестроении и доступны в широком диапазоне типов корпусов, включая D-PAK, TOLL (HSOF-8), TOLG (HSOG-8) и SSO8 (TDSON-8). Эти МОП-транзисторы идеально подxодят для систем впрыска топлива, беспроводной зарядки в автомобиле и подсистемы питания C02 напряжением 48 В, снижающей выбросы вредныx веществ, известной как Board Net.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Series: | XPB70N10 |
| Pin Count | 3 |
| Fall Time: | 8 ns |
| Rise Time: | 8 ns |
| Вес, г | 689 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package/Case: | TO-263-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | IPB70N10S3-12 SP000261246 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 66 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 125 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 17 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 25 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 70 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 11.3 mO |
| Maximum Continuous Drain Current | 70 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 9.4 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 312 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |