IPB70N10S3-12, MOSFETs N-Ch 100V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8060403574
- Артикул
- IPB70N10S3-12
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Вес, г
- 1
- Длина
- 10 mm
- Серия
- OptiMOS-T
- Высота
- 4.4 mm
Цена по запросу
(от 336,51 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор N-Ch 100V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Длина | 10 mm |
| Серия | OptiMOS-T |
| Высота | 4.4 mm |
| Ширина | 9.25 mm |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 8 ns |
| Тип продукта | MOSFET |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | TO-263-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 66 nC |
| Время нарастания | 8 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 125 W |
| Другие названия товара № | IPB70N10S312ATMA1 IPB7N1S312XT SP000261246 |
| Id - непрерывный ток утечки | 70 A |
| Коммерческое обозначение | OptiMOS |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 9.4 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Типичное время задержки выключения | 25 ns |
| Типичное время задержки при включении | 17 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |