N-Channel MOSFET, 17 A, 650 V, 3-Pin D2PAK IPB65R660CFDAATMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8033014417
- Артикул
- IPB65R660CFDAATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Pin Count
- 3
- Fall Time:
- 10 ns
- Rise Time:
- 8 ns
Цена по запросу
(от 360 ₽)
Минимальный заказ: 1000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор Infineon 650V cool MOS CFDA super junction MOSFET - это второе поколение ведущиx на рынке высоковольтныx МОП-транзисторов cool MOS power, предназначенныx для автомобильной промышленности.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Pin Count | 3 |
| Fall Time: | 10 ns |
| Rise Time: | 8 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-263 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package/Case: | D2PAK-3(TO-263-3) |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | IPB65R660CFDA SP000875794 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 20 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 62.5 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 9 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 40 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 6 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Maximum Continuous Drain Current | 17 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 594 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3.5 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 17 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |