Моя заявка (0)

IPB65R310CFDAATMA1,Power MOSFET, N Channel, 650 V, 11.4 A, 0.31 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount

IPB65R310CFDAATMA1,Power MOSFET, N Channel, 650 V, 11.4 A, 0.31 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8046406779
Артикул
IPB65R310CFDAATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Series
CoolMOS
Pin Count
3
Вес, г
1
Длина
10 mm
Цена по запросу
(от 424 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор N-Ch 650V 11.4A D2PAK-2

Технические параметры

SeriesCoolMOS
Pin Count3
Вес, г1
Длина10 mm
СерияCoolMOS CFDA
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeTO 263
Высота4.4 mm
КорпусTO-263
Ширина9.25 mm
Mounting TypeSurface Mount
СтруктураN-Channel
Transistor MaterialSilicon
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада7 ns
Особенностивысоковольтный
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаInfineon Technologies
Упаковка / блокTO-263-3
Maximum Drain Source Voltage600 V
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Maximum Gate Threshold Voltage4.5V
Qg - заряд затвора41 nC
Maximum Drain Source Resistance0.31 Ω
Время нарастания7.5 ns
Maximum Continuous Drain Current11.4 A
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности104.2 W
Другие названия товара №IPB65R310CFDA IPB65R31CFDAXT SP000879440
Id - непрерывный ток утечки11.4 A
Коммерческое обозначениеCoolMOS
Размер фабричной упаковки1000
Vgs - напряжение затвор-исток20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток280 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток650 V
Пороговое напряжение на затворе2…4 В
Минимальная рабочая температура40 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения45 ns
Типичное время задержки при включении11 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток3.5 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В650
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А11.4
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.31 Ом

Техническая документация