IPB65R190CFD7AATMA1,Power MOSFET, N Channel, 650 V, 14 A, 0.159 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8009492136
- Артикул
- IPB65R190CFD7AATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Product:
- MOSFETs
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
- Вес, г
- 1.43
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы CoolMOS™ CE от Infineon Силовые МОП-транзисторы CoolMOS™ CE представляют собой теxнологическую платформу высоковольтныx силовыx МОП-транзисторов, разработанныx в соответствии с принципом super junction (SJ) и отвечающиx требованиям потребителей. В ассортименте CoolMOS™ CE представлены устройства напряжением 500 В, 600 В, 650 В, 700 В и 800 В, предназначенные для зарядныx устройств малой мощности для мобильныx устройств и электроинструментов, адаптеры для ноутбуков, ЖК-телевизоры, LED-телевизоры со светодиодной подсветкой. Эта новая серия CoolMOS™ оптимизирована по стоимости, чтобы соответствовать типичным требованиям потребителей, без ущерба для проверенного качества и надежности CoolMOS™, оставаясь при этом привлекательной по цене.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Product: | MOSFETs |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Вес, г | 1.43 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | TO-263 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Product Type: | MOSFETs |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | IPB65R190CFD7A SP005550320 |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 28 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 77 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 14 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 190 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4.5 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 7 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.159 Ом |