IPB65R190C7ATMA2, Power MOSFET, N Channel, 650 V, 13 A, 0.168 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001486822
- Артикул
- IPB65R190C7ATMA2
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Series
- CoolMOS
- Pin Count
- 3
- Fall Time:
- 9 ns
Цена по запросу
(от 528 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Система Cool MOS от Infineon представляет собой революционную теxнологию для высоковольтныx силовыx МОП-транзисторов, разработанную в соответствии с принципом super junction (SJ) и впервые внедренную компанией Infineon Technologies.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Series | CoolMOS |
| Pin Count | 3 |
| Fall Time: | 9 ns |
| Rise Time: | 11 ns |
| Вес, г | 2 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N Channel |
| Package Type | TO 263 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | TO-263 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TO-263 |
| Part # Aliases: | IPB65R190C7 SP002447550 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Power Dissipation | 72Вт |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 23 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Silicon |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 72 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 11 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 54 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 13 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4.5V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.11 Ω |
| Drain Source On State Resistance | 0.168Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 31.2 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 404 mOhms |
| Линейка Продукции | CoolMOS C7 |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3.5 V |
| Непрерывный Ток Стока | 13А |
| Рассеиваемая Мощность | 72Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3.5В |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 650В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-263(D2PAK) |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 В |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.168Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 7 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 72 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.168 Ом |