CoolMOS Type N-Channel MOSFET, 24 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB65R095C7ATMA2
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014556152
- Артикул
- IPB65R095C7ATMA2
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Series:
- CoolMOS C7
- Pin Count
- 3
- Fall Time:
- 7 ns
Цена по запросу
(от 1 158,27 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Infineon CoolMOS - это революционная теxнология для высоковольтныx силовыx МОП-транзисторов, разработанная в соответствии с принципом super junction (SJ) и впервые разработанная компанией Infineon Technologies.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Series: | CoolMOS C7 |
| Pin Count | 3 |
| Fall Time: | 7 ns |
| Rise Time: | 12 ns |
| Tradename: | CoolMOS |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | TO-263 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TO-263-3 |
| Part # Aliases: | IPB65R095C7 SP002447562 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Power Dissipation | 128Вт |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 45 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | Enhancement Mode |
| Pd - Power Dissipation: | 128 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 14 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 60 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 24 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 95 mO |
| Drain Source On State Resistance | 0.084Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 24 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 84 mOhms |
| Линейка Продукции | CoolMOS C7 |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Непрерывный Ток Стока | 24А |
| Рассеиваемая Мощность | 128Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3.5В |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 650В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-263(D2PAK) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.084Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 24 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 128 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |