IPB65R090CFD7ATMA1, 650V 25A 127W 90mOhm@12.5A,10V N Channel TO-263 MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070817546
- Артикул
- IPB65R090CFD7ATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Q(g)
- 53 nC
- V(DS)
- 650 V
- P(tot)
- 127 W
- Series
- CoolMOS
Цена по запросу
(от 850 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор Infineon CoolMOS super junction со встроенным быстродействующим диодом - это идеальный выбор для резонансныx топологий высокой мощности.
Технические параметры
| Q(g) | 53 nC |
| V(DS) | 650 V |
| P(tot) | 127 W |
| Series | CoolMOS |
| Package | D2PAK |
| R(thJC) | 0.98 K/W |
| Mounting | SMD |
| Packaging | REEL |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | NO |
| Technology | CoolMOS |
| Вес, г | 1.6 |
| Logic level | NO |
| RoHS Status | RoHS-conform |
| Channel Type | N |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Configuration | N-CH |
| Mounting Type | Surface Mount |
| RDS(on)at 10V | 68 mOhm |
| Fast bodydiode | YES |
| I(D)at Tc=25°C | 25 A |
| Power Dissipation | 127Вт |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 700 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4.5V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.09 Ω |
| Drain Source On State Resistance | 0.068Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 25 A |
| Линейка Продукции | CoolMOS CFD7 SJ |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 25А |
| Рассеиваемая Мощность | 127Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 650В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-263(D2PAK) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.068Ом |